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　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全比玉皇大帝还大的是谁，比玉皇大帝还厉害的是谁(quán)问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōn比玉皇大帝还大的是谁，比玉皇大帝还厉害的是谁g)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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